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FDMC4435BZ中文资料

FDMC4435BZ图片

FDMC4435BZ外观图

  • 大小：375.26KB
  • 厂家：FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
  • 描述：P-Channel Power Trench㈢ MOSFET -30V, -18A, 20.0mヘ
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：PowerTrench®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：20 毫欧 @ 8.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：46nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2045pF @ 15V
  • 功率 - 最大：2.3W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-MLP，Power33
  • 供应商设备封装：MLP（3.3x3.3）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：FDMC4435BZTR

FDMC4435BZ供应商

更新时间:2023-01-10 05:18:16
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